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SIZ300DT-T1-GE3中文资料

SIZ300DT-T1-GE3图片

SIZ300DT-T1-GE3外观图

  • 大小:330KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:9.8 A, 14.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.02 Ohms, 0.009 Ohms
  • 配置:Dual
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerPAIR
  • 封装:Reel
  • 下降时间:10 ns, 40 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):30 S
  • 栅极电荷 Qg:7.4 nC, 14.2 nC
  • 功率耗散:3.7 W, 4.2 W
  • 上升时间:45 ns, 80 ns
  • 零件号别名:SIZ300DT-GE3

SIZ300DT-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-27 23:30:30
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SIZ300DT-T1-GE3

    SIZ300DT-T1-GE3
  • 695

  • VISHAY/威世

  • QFN8/14+

  • 实话实说重质重口碑说一不二

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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